本文源自:证券时报网
英唐智控1月15日晚间发布公告称，公司当日与SiC研发平台上海芯石签订了《认购协议》，与其大股东签订了《股份转让协议》，拟以总价1.68亿人民币，通过认购及受让合计获得上海芯石689.82万股股份，占其总股本的40%，为第一大股东，并实现对上海芯石的控股。
公告显示，上海芯石在半导体功率器件芯片尤其是肖特基二极管芯片领域具有十几年的技术储备及行业经验，目前业务产品主要覆盖两大类别：Si类（SBD、FRED、MOSFET、IGBT、ESD等功率芯片产品）、SiC类：（SiC-SBD、SiC-MOSFET）。其中在SiC-SBD领域成功开发了600V、1200V、1700V、3300V的产品，并已经实现了部分SiC型号产品的小批量量产。目前SiC功率器件的产品设计开发能力处于市场领先水平。
据了解，英唐智控自2019年开启向上游半导体芯片领域延伸的战略转型道路以来，围绕SiC等第三代半导体器件产品持续开展产业布局，正在逐步打造从设计、制造到销售的全产业链。
在生产制造方面，英唐智控正在通过日本英唐微技术现有硅基器件产品线进行部分改造，使其兼容生产SiC器件产品能力从而实现国内主导设计日本辅助设计制造的链条。在英唐微技术现有生产线第一阶段改造完成后，英唐智控将拥有完全自主的SiC器件生产能力。据分析，日本SiC产线改造的目的，一方面是为了满足前期英唐智控产能的需求，另一方面也是其低成本练兵的过程；最终为英唐在中国这个全球最大的SiC市场建立更大规模的SiC产线培养专业的产业人员，积累关键的工艺制程经验。
在SiC器件的研发设计方面，上海芯石会成为英唐智控的国内研发设计核心平台、英唐微技术会成为英唐智控在日本甚至境外重要研发设计支持平台。英唐智控将通过持续的人才吸收培养和产业布局，不断加强公司在SiC及相关产品第三代半导体领域的研发和设计能力。
