本文源自:金融界
金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“，公开号CN117998837A，申请日期为2022年10月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、存储器；其中，所述方法包括：沿第一方向和第二方向阵列排布的第一有源区、以及位于每一所述第一有源区四周至少一侧的第二有源区；其中，一个所述第一有源区与相邻的一个所述第二有源区构成一个有源区组；每一所述有源区组中，所述第一有源区与所述第二有源区在所述第一方向或者所述第二方向上的投影至少部分重合；所述第一方向与所述第二方向在所在平面内相交，多个所述有源区组沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布。
