原标题：斯达半导(603290)募投功率半导体芯片产能，IGBT龙头未来可期 来源：国海证券
事件：
公司3月3日发布非公开发行A股股票预案，拟募集不超过35亿元用于以下三个项目：1)年产36万片功率半导体芯片的高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目，投资总额20亿元；2)新增年产400万片功率半导体模块的生产线自动化改造项目，投资总额7亿元；3)补充流动资金8亿元。项目建设期为3年。
投资要点：
募投高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目，横向丰富产品线，纵向突破产能瓶颈，IGBT功率龙头未来可期。考虑到新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向，公司以现有的技术为依托，实施高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。我们认为该项目有利于公司丰富产品线，扩大公司产能，紧跟市场浪潮和政策步伐，稳固公司行业地位。(1)智能电网、轨道交通：丰富公司产品线，实现智能电网和轨道交通行业高压功率器件的国产化替代。在智能电网行业，高压IGBT是柔性直流换流阀必不可少的核心功率器件，在轨道交通行业，高压IGBT是轨道交通列车“牵引变流器”的核心器件，而牵引变流器是驱动轨道交通列车行驶最关键的部件之一，我们认为该项目将加速改变国内3300V及以上功率器件基本依赖进口，助力智能电网、轨道交通核心器件的国产化；(2)新能源汽车：紧跟技术发展方向，把握新能源汽车发展机遇。与Si(硅)基的IGBT相比，SiC MOSFET在产品尺寸、功率消耗方面大幅减小，较大地提升了新能源汽车电池的电能转化效率，SiC功率器件在高端新能源汽车控制器中大批量应用，发展前景广阔。
行业高景气度+国产替代提速，IGBT和SiC功率器件市场前景广阔。IGBT方面，根据集邦咨询数据，2018年中国IGBT市场规模为153亿元，下游主要应用于新能源汽车(-31%)、家电(-27%)、工控(20%)、新能源发电(11%)等领域。受益于新能源汽车、特高压、城际高铁交通等下游需求快速扩张，IGBT迎来景气周期，预计2025年我国IGBT市场规模将达522亿元，2018-2025年CAGR为19%。从竞争格局看，行业龙头主要为英飞凌、安森美等国外大厂，我国中高端IGBT产品主要依赖进口，整体自给率不足两成，国产替代需求迫切；SiC方面，SiC因其小体积、低损耗、耐高温高压等特性有望在新能源汽车领域带来革新，市场日渐火热。IHS数据显示，2018年全球SiC功率半导体市场规模为3.9亿美元，受新能源汽车、光伏风电和充桩等领域对于效率功耗要求提升的影响，SiC功率器件迎来景气周期，IHS预计全球SiC功率器件市场规模2027年将超100亿美元，2018-2027年CAGR近40%。从竞争格局来看，以英飞凌、罗姆等为代表的国外老牌功率大厂具备先发优势，以 斯达半导 、 比亚迪 微电子等为代表的国内厂商日渐崛起。
盈利预测和投资评级：公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。公司募投项目有助于突破产能瓶颈、丰富产品线，强化在功率半导体产业布局，在下游市场高景气及国产替代加速背景下，将充分受益。暂不考虑增发对公司业绩及股本的影响，我们维持盈利预测不变，预计2020-2022年归母净利润分别为1.97/2.67/3.58亿元，对应EPS分别为1.23/1.67/2.24元/股，对应当前PE估值分别为203/150/112倍，维持“买入”评级。
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