上证报中国证券网讯（记者 邱德坤）12月28日，智慧芽创新研究中心发布《第三代半导体—氮化镓（GaN）技术洞察报告》（下称“报告”）显示，全球氮化镓产业申请专利超16万件，包括有效专利超6万件。其中，保护类型以发明专利为主，行业技术创新度比较高，中国、美国、日本是重点布局氮化镓技术的国家。
氮化镓是指一种由人工合成的半导体材料，属于第三代半导体材料的典型代表，产业范围涵盖氮化镓单晶衬底，半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景，下游应用切中了“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域。
报告显示，日本在全球氮化镓具有先发优势，中国的氮化镓产业链已基本形成，产业结构相对聚焦中游，但是在专利申请数量上与日本仍有一定的差距。目前，国外重点企业包括日本住友、美国Cree、德国英飞凌、韩国LG、三星等，而中国企业代表有晶元光电、三安光电、华灿光电等。
以三安光电为例，公司目前是中国规模最大的LED外延片、芯片企业，在氮化镓领域集中于产业链中游的器件模组研究，布局的器件类型包括可见光LED、紫外LED、Micro/Mini LED和GaN基FET。2016年后，三安光电对于可见光LED的专利申请量逐渐下降，并开始增加对于Micro/Mini LED、GaN基FET的专利申请。
从氮化镓的重点技术发展趋势来看，氮化镓衬底技术是器件降本的突破口，当前正向大尺寸和高晶体质量方向发展，并趋向商业化。报告显示，全球氮化镓衬底技术共有13000多件专利，包括有效专利量4800多件，占比为35.2%，日本住友在该细分领域的技术储备占有绝对优势。
