新思科技(SNPS.US)与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术

新思科技(SNPS.US)与三星合作,加速推广变革性3纳米GAA技术
2021年07月07日 20:40 金融界网站

本文源自:智通财经网

  智通财经APP获悉,新思科技(SNPS.US)近日宣布,其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3纳米(nm)环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积(PPA)方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。

  新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform,包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程,以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户,可在高性能计算(HPC)、5G、移动应用和人工智能 (AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。

  据了解,根据摩尔定律,晶体管尺寸要进一步缩小,而GAA架构为更高的晶体管密度提供了经过流片验证的途径。GAA架构改进了静电特性,从而可提高了性能并降低了功耗,并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合,扩大了优化解决方案的空间,从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作,加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能,从而在新思科技的Fusion Compiler™和IC Compiler™ II中实现了全流程、高收敛度优化。

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