本文源自:金融界
金融界2024年4月30日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法及半导体结构“，公开号CN117954381A，申请日期为2022年10月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构包括第一区域和第二区域，第一区域的待刻蚀结构的顶面高于第二区域的待刻蚀结构的顶面；形成介质层，介质层覆盖第二区域的待刻蚀结构的顶面；刻蚀待刻蚀结构，去除位于第一区域的部分待刻蚀结构；研磨待刻蚀结构和介质层，去除介质层和部分待刻蚀结构，被保留的待刻蚀结构的顶面的高度为第一目标高度。在本公开中，以介质层作为掩膜刻蚀待刻蚀结构减小第一区域和第二区域的高度差，无需采用光刻工艺，能够减小处理工序、减少处理时长、节约生产成本。
