本文源自:金融界
金融界2024年8月20日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“双端口静态随机存取存储器单元电路“，公开号 CN202410494777.1 ，申请日期为 2024 年 4 月 。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器（SRAM）电路，包括 Vdd 节点和具有相同结构的第一 SRAM 单元和第二 SRAM 单元的双端口静态随机存取存储器（SRAM）单元对。第一 SRAM 单元是十晶体管 SRAM 单元，包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体和所述第二上拉晶体形成锁存器的第一下拉晶体和第二下拉晶体、连接至锁存器的第一传输门晶体和第二传输门晶体以及 p 型隔离晶体管，p 型隔离晶体管包括连接至第一上拉晶体管的漏极区的第一源极/漏极区和连接至 Vdd 节点的栅极。该电路还包括与第二 SRAM 单元共用的读取位线，以及连接至第一传输门晶体管和第二传输门晶体管的栅极的写入位线对。
