本文源自:金融界
金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构、堆叠集成电路结构及其形成方法“，公开号 CN202410510328.1，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，本公开的各个实施例针对包括第一衬底的半导体结构，第一衬底包括第一半导体材料。第一光传感器设置在第一衬底内。第一光传感器配置为吸收第一波长范围内的电磁辐射。第二光传感器设置在第一衬底下面的吸收结构内。第二光传感器配置为吸收不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射。吸收结构位于第一光传感器下面，并且包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。本申请的实施例，还提供了堆叠集成电路结构及其形成方法。
