中图科技取得一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片专利,降低外延材料的生长难度,进而提升外延层的晶体质量

中图科技取得一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片专利,降低外延材料的生长难度,进而提升外延层的晶体质量
2024年08月20日 12:45 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片“,授权公告号 CN117219710B,申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示,本发明公开了一种图形化复合衬底及其制备方法、LED外延片。制备方法包括:在蓝宝石衬底上依次形成异质层和掩膜层;对掩膜层进行图案化处理,形成掩膜图形;基于掩膜图形,采用干法刻蚀工艺对异质层进行图案化处理,在蓝宝石衬底上形成多个凸起结构;采用湿法刻蚀工艺对裸露的蓝宝石衬底进行刻蚀,以在任意相邻两个凸起结构之间形成凹槽结构;凹槽结构的底面为蓝宝石衬底的 C 面,沿蓝宝石衬底指向凸起结构的方向,凹槽结构的侧壁向凹槽结构的中心倾斜。采用上方案,可兼顾图形化复合衬底的凸起结构底宽以及裸露的蓝宝石衬底 C 面面积,为外延材料的形核生长提供更多表面,降低外延材料的生长难度,进而提升外延层的晶体质量。

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