本文源自:金融界
金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏新顺微电子股份有限公司申请一项名为“一种提高高反压三极管芯片抗电子辐照能力的工艺方法“，公开号 CN202410432375.9 ，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高高反压三极管芯片抗电子辐照能力的工艺方法，包括如下步骤：步骤 S1，清洗硅基晶圆刻蚀后的金属层表面；步骤 S2，在刻蚀后的金属层表面通过 CVD 方式淀积一层氮化硅层作为钝化层 1；步骤 S3，在氮化硅层上涂布一层聚酰亚胺光刻胶作为钝化层 2；步骤 S4，通过曝光、显影工艺去除键合区上的聚酰亚胺光刻胶，露出待刻蚀的氮化硅层；步骤 S5，采用等离子刻蚀工艺刻蚀键合区内的氮化硅层，露出金属层；步骤 S6，采用烘箱固化工艺使表面聚酰亚胺充分亚胺化形成聚酰亚胺薄膜。本发明采用双层钝化工艺，在 ts 满足高反压三极管要求的同时其 hFE 及 K 值的衰减量较小，从而能够制造出高质量的高反压三极管芯片。
