华光光电取得一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法专利,实现与偏振无关的红光半导体光放大器

华光光电取得一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法专利,实现与偏振无关的红光半导体光放大器
2024年08月20日 19:05 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,山东华光光电子股份有限公司取得一项名为“一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法“,授权公告号 CN118198865B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明涉及一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法,属于光电子技术领域。由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第三垒层、第四量子阱、第四垒层、第五量子阱、上波导层、上限制层 A、腐蚀阻挡层、上限制层 B、带隙过渡层和帽层;本发明采用张应变及压应变交替生长的混合多量子阱实现 TE 模式和 TM 模式增益平衡,进而实现与偏振无关的红光半导体光放大器,同时利用垒层交替补偿,平衡有源区应力,避免晶格常数差异对量子阱生长质量的影响。

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