浙江奥首材料科技取得多晶硅蚀刻相关专利,解决以往蚀刻过程中的难题

浙江奥首材料科技取得多晶硅蚀刻相关专利,解决以往蚀刻过程中的难题
2024年08月20日 19:10 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江奥首材料科技有限公司取得一项名为“一种异山梨醇基强碱性季铵碱,及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用“,授权公告号 CN118255779B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明涉及一种异山梨醇基强碱性季铵碱,及包含其的多晶硅蚀刻液、其制备方法及应用。所述多晶硅蚀刻液,组分中包含异山梨醇基强碱性季铵碱,非离子表面活性剂和超纯水。本发明蚀刻液在多叠层蚀刻过程可保证多晶硅蚀刻均一性,与此同时在最佳蚀刻条件下,蚀刻液具有良好的使用寿命与稳定性,可在 3D 闪存芯片领域应用,用于解决以往蚀刻过程中底部多晶硅蚀刻深度与顶部不一致,蚀刻液浓度受温度影响变大问题。

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