北京特思迪半导体设备取得用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备专利,实现膜厚的原位测量

北京特思迪半导体设备取得用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备专利,实现膜厚的原位测量
2024年08月22日 02:45 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 21 日消息,天眼查知识产权信息显示,北京特思迪半导体设备有限公司取得一项名为“用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备“,授权公告号 CN118254098B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备,所述方法包括:获取具有第一类层和第二类层的光谱计算模型,其中所述第二类层位于所述第一类层和晶圆薄膜之间;确定所述第一类层、所述第二类层、所述晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数;利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。

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