本文源自:金融界
金融界 2024 年 8 月 21 日消息，天眼查知识产权信息显示，山东浪潮华光光电子股份有限公司取得一项名为“一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法“，授权公告号 CN113889559B，申请日期为 2020 年 7 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括自下到上依次设置有 N 型欧姆接触层、介质膜窗口层、制备好的外延片、P 型欧姆接触层和 P 型电极，所述介质膜窗口层上设置有窗口层图案。在 n 型 GaAs 衬底和 N 型欧姆接触层之间设置介质膜形成的介质膜窗口层，介质膜窗口层中无介质膜处可以与 n‑GaAs 衬底实现良好的欧姆接触，有介质膜处可以阻挡金属与 n‑GaAs 衬底融合，减少光的吸收，介质膜和 N 型欧姆接触层可以进一步形成 ODR 提升反射率。
