浙江康鹏半导体取得砷化镓单晶生长状态检测专利,确保高效准确获取拉曼光谱图像检测晶体生长状态

浙江康鹏半导体取得砷化镓单晶生长状态检测专利,确保高效准确获取拉曼光谱图像检测晶体生长状态
2024年08月22日 11:05 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 21 日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江康鹏半导体有限公司取得一项名为“砷化镓单晶生长状态检测方法及装置“,授权公告号 CN118209540B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本申请提出了一种砷化镓单晶生长状态检测方法及装置,包括以下步骤:设置第一数量的光纤探头布设在反应坩埚内,使用光纤探头来获取拉曼光谱图像,使用优化算法对光纤探头的布设位置进行优化;将所述拉曼光谱图像输入到训练好的判断‑分析模型中,所述判断‑分析模型包括判断网络以及分析网络,所述判断网络基于拉曼光谱图像判断反应坩埚内的砷化镓是否存在位错,若是则再将拉曼光谱图像输入到分析网络中得到位错原因。本方案通过使用优化算法来对反应坩埚中光纤探头的位置进行优化,确保可以最高效、准确的获取拉曼光谱图像,再由神经网络对砷化镓的生长状态进行检测。

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