浙江驰拓申请用于筛选 MRAM 芯片异常位元的专利,能够快速筛选矫顽力偏离正常值的位元

浙江驰拓申请用于筛选 MRAM 芯片异常位元的专利,能够快速筛选矫顽力偏离正常值的位元
2024年08月23日 21:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 23 日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“用于筛选 MRAM 芯片异常位元的方法和系统“,公开号 CN202310161032.9,申请日期为 2023 年 2 月。

专利摘要显示,本发明提供一种用于筛选 MRAM 芯片异常位元的方法和系统,所述方法包括:施加第一磁场对 MRAM 芯片进行初始化,使得所有位元处于第一状态;施加第二磁场对 MRAM 芯片进行磁化处理,使得矫顽力小于第一设定阈值的位元处于第二状态,第二状态与第一状态相反;施加第三磁场对 MRAM 芯片进行磁化处理,使得矫顽力小于第二设定阈值的位元处于第一状态;检查 MRAM 芯片内每个位元的状态,筛选出处于第一状态的位元,视为异常位元。

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