北京特思迪半导体设备取得晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备专利,确定晶圆近表面层介质的参数范围

北京特思迪半导体设备取得晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备专利,确定晶圆近表面层介质的参数范围
2024年08月25日 16:15 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 25 日消息,天眼查知识产权信息显示,北京特思迪半导体设备有限公司取得一项名为“晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备“,授权公告号 CN118260508B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明提供一种晶圆磨削场景中近表面层介质的参数确定方法及设备,所述方法包括:获取晶圆表面具有第一类层和第二类层状态下的实测光谱,其中所述晶圆包括晶圆基底和晶圆薄膜,所述晶圆基底和所述晶圆薄膜的参数是预先测量的已知参数,所述第二类层位于所述第一类层和所述晶圆薄膜之间;利用具有第一类层和第二类层参数的光谱计算模型,生成不同给定第二类层的参数下的理论光谱;根据所述理论光谱和所述实测光谱确定所述第二类层的参数范围。

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