本文源自:金融界
据媒体报道，半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和英伟达即将展开深度合作，共同开发下一代高频宽内存技术（HBM）。这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展上正式宣布，届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。
三方的合作将聚焦于HBM技术的研发，以期掌握AI服务器关键零组件的制高点，HBM作为一种高性能的3D堆叠内存技术，对于AI和高性能计算处理器的内存性能至关重要。合作的目标是在2026年实现HBM4的量产，采用台积电的12FFC+及5纳米工艺制造HBM4接口芯片，以实现更微小的互连间距。
AI浪潮助推HBM景气度持续飙升，HBM在目前的高端算力卡中为重要组件，产品迭代加速和订单充沛有望使得国内产业链深度受益。开源证券指出，由于先进封装均价是传统封装均价10倍以上具备HBM封测能力的国产封测厂有望受益于HBM国产替代迎来量价齐升。散热填充材料的使用在HBM走向更高堆叠层数的过程中起到保证良率的关键作用。全球厂商加速推出12层甚至16层HBM芯片有望拉动填充材料需求。推荐标的：赛腾股份。受益标的：长电科技（开源电子组）、通富微电（开源电子组）联瑞新材、雅克科技、华海诚科。
