本文源自:金融界
金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，成都吉莱芯科技有限公司、江苏吉莱微电子股份有限公司取得一项名为“一种低触发电压高泄放能力的双向ESD保护器件“，授权公告号 CN21632569U，申请日期为 2023 年 12 月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种低触发电压高泄放能力的双向ESD保护器件，包括 SOI 型 N+衬底材料、从下至上依序设置在所述 SOI 型 N+衬底材料表面的 Pwell 阱区、Nwell-SCR 阱区、Nwell-PN 阱区，在 Pwell 阱区、Nwell-SCR 阱区、Nwell-PN 阱区以及衬 SOI 型 N+衬底材料中形成 PSD 欧姆接触区和 NSD 欧姆接触区，该 ESD 保护器件通过两个槽区电学隔离从左至右依次分为、DIODE1 单元、DIODE11 单元以及 SCR 单元和 DIODE2 单元，所述槽区从上表面延伸至所述 SOI 型 N+衬底材料。本实用新型在不增加额外芯片面积的基础上，改变原有的 ESD 防护单元的 SCR 结构，将 SCR 结构中未用到的有源区进行有效利用，即在 N+衬底材料上形成 Pwell 阱区、PSD 欧姆接触区和 NSD 欧姆接触区，与原本的 SCR 形成并联结构。
