佛山市国星半导体技术取得一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法专利,芯片翘曲度低,良率和稳定性高

佛山市国星半导体技术取得一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法专利,芯片翘曲度低,良率和稳定性高
2024年08月30日 20:40 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,佛山市国星半导体技术有限公司取得一项名为“一种垂直结构 LED 芯片及其制作方法“,授权公告号 CN109755365B,申请日期为 2019 年 1 月。

专利摘要显示,本发明公开了一种垂直结构 LED 芯片,包括背面金属层、设于背面金属层上的第二衬底、键合层、刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层,所述第二衬底设有凹部和凸部,凸部的表面高于凹部的表面,所述键合层包括中心键合层和边缘键合层,所述中心键合层设置在第二衬底的凹部,所述边缘键合层设置在第二衬底的凸部,刻蚀阻挡层和绝缘层依次设置在边缘键合层上,刻蚀阻挡层、反射层、电流扩散层、外延层、绝缘层和电极层依次设置在中心键合层上,所述电极层贯穿所述绝缘层与外延层连接。相应地,本发明还提供了一种垂直结构 LED 芯片的制作方法。

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