本文源自:金融界
金融界2024年9月3日消息，天眼查知识产权信息显示，东旭集团有限公司申请一项名为“一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用“，公开号CN202410528630.X，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种制备碳化硅外延石墨烯的方法和坩埚及其应用，其中制备方法包括：将碳化硅衬底放置在半封闭坩埚腔体结构中，得到坩埚空腔组合体；其中碳化硅衬底具有原子级表面；在坩埚空腔组合体内通入Ar或N2，温度控制在1250～1400℃，使碳化硅衬底的上表面生长石墨烯，得到碳化硅外延石墨烯；其中，半封闭坩埚腔体结构具有圆柱形的空腔，坩埚空腔底面直径比碳化硅衬底的直径大5～10mm；碳化硅衬底放置在半封闭坩埚腔体结构中后，碳化硅衬底上表面到半封闭腔体结构顶部内壁的距离为0.5～10mm；半封闭坩埚腔体结构的顶部设有连通空腔的通孔，开孔率为0.5％～10％；开孔率＝通孔横截面总面积/空腔底面面积。该方法制备得到的碳化硅外延石墨烯厚度均匀，晶畴尺寸大，质量高。
