本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“接触孔的制作方法“，公开号 CN202410691903.2，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，沟槽和衬底表面形成有绝缘层；在沟槽之间的绝缘层和衬底中形成底部通孔，底部通孔的深度小于沟槽的深度；在沟槽和底部通孔中填充金属层，底部通孔中的金属层形成底部接触孔；在绝缘层和金属层上方形成至少一层层间介电层，每层层间介电层中形成有金属引出层，每层金属引出层的底部与下一层金属引出层的顶部接触，每层金属引出层的顶部与上一层金属引出层的底部接触，最底层的金属引出层的底部与所述底部接触孔的顶部接触，每层金属引出层的宽度大于底部接触孔的宽度，至少一层金属引出层和底部接触孔的高度之和为 H，底部接触孔的宽度为 W1，H/W1＞5。
