本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“MIM 电容的制作方法“，公开号 CN202410692179.5，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本申请公开了一种 MIM 电容的制作方法，包括：在层间介质层上覆盖光阻，依次通过曝光和显影暴露出目标区域；通过 CDE 工艺进行刻蚀，在目标区域的层间介质层中形成沟槽，沟槽底部的内角为圆弧型，沟槽的开口的宽度大于目标区域的宽度；去除光阻；依次形成第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层；进行平坦化处理，去除沟槽外的第一电极层、电容介质层、第二电极层和顶部金属层，沟槽内的第一电极层、电容介质层和第二电极层构成 MIM 电容，沟槽内的顶部金属层构成顶部金属连线。本申请先通过 CDE 工艺刻蚀形成底部的内角为圆弧型的沟槽，然后在该沟槽中形成 MIM 电容和与 MIM 电容的上电极接触的顶部金属连线，提高了器件的可靠性和良率。
