北京忆芯科技申请 DRAMLess 存储设备实现预读的方法专利,在实现提升读命令性能的同时降低产品成本或功耗

北京忆芯科技申请 DRAMLess 存储设备实现预读的方法专利,在实现提升读命令性能的同时降低产品成本或功耗
2024年09月04日 21:15 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 4 日消息,天眼查知识产权信息显示,北京忆芯科技有限公司申请一项名为“DRAMLess 存储设备实现预读的方法“,公开号 CN202310215891.1,申请日期为 2023 年 3 月 。

专利摘要显示,本申请实施例提供了一种 DRAM Less 存储设备实现预读的方法,涉及存储设备技术领域。该预读处理方法包括:响应于待处理命令为预读命令,判断所述预读命令指示的至少一个第一物理地址是否命中第二物理地址;在所述第一物理地址未命中所述第二物理地址的情况下,生成所述预读命令对应的第一存储介质访问命令;将所述第一存储介质访问命令发送至非易失性存储器,其中,所述第一存储介质访问命令用于指示所述非易失性存储器从所述第一物理地址对应的物理页中读取数据并存储在对应的页缓存中。该预读处理方法通过将预读命令所预读的数据缓存在页缓存中,在实现通过预读功能提升读命令的性能的同时,降低产品成本或功耗。

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