本文源自:金融界
金融界2024年9月4日消息，天眼查知识产权信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备方法与应用“，公开号CN202410627690.7，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备方法与应用，所述的硅晶片糙面减薄蚀刻液按照重量份计算，包括如下组分：硝酸15‑20份；纤维素类增稠剂1‑5份；酸性磷酸氟1‑5份；四氟硼酸盐1‑3份；超纯水20‑30份。本发明中纤维素类增稠剂使体系整体的粘稠度增加，有利于粗蚀刻；同时气泡生长并留在硅表面上，蚀刻液很难进一步接触硅，使得衬底上蚀刻速率分布不均匀，硅的表面变粗糙。酸性磷酸氟的加入可以增加蚀刻液的润湿性能、稳泡性能以及代替氢氟酸的多重效果。本发明采用纤维素类增稠剂、酸性磷酸氟和四氟硼酸盐的组合，能够显著提高蚀刻速率，改善蚀刻后硅表面粗糙度，避免了较高蚀刻速率下硅晶片表面的镜面化。
