普冉半导体(上海)申请访问闪存的方法和控制装置专利,能在闪存的主阵列为读保护状态下获取向量入口地址

普冉半导体(上海)申请访问闪存的方法和控制装置专利,能在闪存的主阵列为读保护状态下获取向量入口地址
2024年09月10日 09:05 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 10 日消息,天眼查知识产权信息显示,普冉半导体(上海)股份有限公司申请一项名为“访问闪存的方法和控制装置“,公开号 CN202410808802.9,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本发明公开了一种访问闪存的方法中,闪存的主阵列为读保护状态下,CPU 异常处理时访问主阵列的步骤包括:监测 CPU 读取向量的状态信号,状态信号至少区分两种状态,第一种状态表示读取向量处于获取向量入口地址的状态,第二种状态表示读取向量处于程序读出数据的状态。根据所述状态信号对访问进行控制,包括:当状态信号为第一种状态时,允许访问。当状态信号为第二种状态时,拒绝访问。本发明还公开了一种访问闪存的装置。

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