上海新昇半导体申请晶棒生长控制相关专利,减少不同晶棒的直径偏差

上海新昇半导体申请晶棒生长控制相关专利,减少不同晶棒的直径偏差
2024年09月10日 15:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年9月10日消息,天眼查知识产权信息显示,上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品“,公开号 CN202410660715.3,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,一种晶棒生长控制方法、装置、系统、存储介质和计算机程序产品,晶棒生长控制方法包括:获取晶棒生长过程中晶棒的称重直径、人工测量直径和相机测量直径;计算称重直径和人工测量直径之间的差值是否处于预设差值范围;在差值不处于预设差值范围内时,直接根据相机测量直径对晶棒的生长过程进行控制;在差值处于预设差值范围内时,对称重直径和相机测量直径进行数据处理以得到模拟直径,并根据模拟直径对晶棒的生长过程进行控制。本申请可以确定晶棒称重系统是否正常工作,以及减少不同晶棒的直径偏差,增强拉晶等径阶段晶棒直径的控制精度。

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