本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法“，公开号 CN202310224954.X，申请日期为 2023 年 3 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中半导体结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层构成异质结构；栅极，设置在所述第二半导体层的栅极区域上；在所述栅极区域，沿着所述栅极的延伸方向上，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间设置有多个间隔排布的间隔层；每一间隔层形成一横跨沟道长度的电流通道，相当于形成并联的电流通道，在栅极区域，区域化限制 2DEG 在电流通道内移动，使得跨导稳定期更宽，从而提高了跨导的稳定性，改善了器件的线性度。
