本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法“，公开号 CN202410535561.5 ，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构，该器件结构的第一沟槽和第二沟槽构成了 T 型沟槽，沟槽底部长度减少，对应减少了栅极承压范围，提高了栅极可靠性，位于第一沟槽底部的阱区内的第一掺杂区替代了电流拓展层，改善整体 P 型和 N 型注入浓度和能量的调控范围，位于所述第二沟槽底部的漂移区内的第二掺杂区相当于屏蔽层，该屏蔽层的宽度较小，在器件关闭状态下，该第二掺杂区可以和衬底进行耗尽，减小了沟槽栅底部耐压，平衡了电场分布，减少了导通电阻。
