雷电微力申请一种 3D 异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法专利,解决功放芯片的自激

雷电微力申请一种 3D 异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法专利,解决功放芯片的自激
2024年09月12日 01:55 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 11 日消息,天眼查知识产权信息显示,成都雷电微力科技股份有限公司申请一项名为“一种 3D 异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法“,公开号 CN202410826479.8,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本申请的实施例提供了一种 3D 异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法,涉及芯片设计技术领域,所述芯片包括:射频芯片和硅基控制芯片;所述射频芯片上设置有功放电路和检波二极管,所述功放电路与所述检波二极管连接;所述硅基控制芯片上设置有电压比较器,所述检波二极管与所述电压比较器的输入端连接;所述电压比较器的输出端与所述功放电路连接。本申请的技术方案,通过在功放芯片自激时在功放晶体管栅极处增加夹断电压,解决功放芯片的自激;具有结构简单、实用性强等优点,在毫米波频段具有广泛的应用价值。

财经自媒体联盟更多自媒体作者

新浪首页 语音播报 相关新闻 返回顶部