创远信科取得嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构专利,降低器件成本与电路控制难度

创远信科取得嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构专利,降低器件成本与电路控制难度
2024年09月15日 10:05 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 15 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海创远仪器技术股份有限公司取得一项名为“嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构“,授权公告号 CN114094983B,申请日期为 2021 年 11 月。

专利摘要显示,本发明涉及一种嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构,包括数控衰减器、第一 SPDT 开关、第二 SPDT 开关、第三 SPDT 开关、第四 SPDT 开关、第五 SPDT 开关、第一固定值衰减器、第二固定值衰减器和第三固定值衰减器,所述的数控衰减器与信号输入接口相连,所述的第一 SPDT 开关的一端与数控衰减器相连,所述的第三 SPDT 开关的一端与信号输出接口相连,所述的第一固定值衰减器的一端与第四 SPDT 开关相连,所述的第三固定值衰减器的一端与第五 SPDT 开关相连。采用了本发明的嵌入数控衰减器的高隔离开关电路结构,减少前级链路中的数控衰减器数量,降低器件成本与电路控制难度。同时,数控衰减器与隔离开关复用开关器件,既保证了端口之间的隔离度,也不会增加链路插入损耗。

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