上海赢朔取得芯片高压测试相关专利,实现芯片高压测试精准高效

上海赢朔取得芯片高压测试相关专利,实现芯片高压测试精准高效
2024年09月17日 15:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 17 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海赢朔电子科技股份有限公司取得一项名为“一种芯片高压测试方法、系统及存储介质“,授权公告号 CN118191567B,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本申请涉及芯片测试领域,公开芯片高压测试方法、系统及存储介质,方法包括:芯片进入高压测试工位生成开始高压测试信号;根据开始高压测试信号压接芯片的引脚以电连接;生成压接信号;比较压接信号与预设的参考压接值,若大于,则生成高压连接信号;否则,继续压接;另一芯片进入电性测试工位生成持续的开始电性测试信号,开始电性测试信号于完成电性测试后消失;若未获取到开始电性测试信号,则响应高压连接信号;生成第一电压,并持续第一设定时间;若获取到开始电性测试信号,等待开始电性测试信号消失,并响应高压连接信号;生成第一电压,并持续第一设定时间;获取芯片的高压状态;若高压状态与预设的合格状态匹配,则合格。

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