本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 17 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“ESD 结构及半导体器件“，公开号 CN202410867329.1，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种 ESD 结构及半导体器件，属于芯片静电保护技术领域，该 ESD 结构，包括在衬底上间隔布置的第一 NMOS 管和第二 NMOS 管，第一 NMOS 管包括第一中压 P 阱，且第一中压 P 阱上从左至右依次布置有第一 N 阱和第一 P 阱引出区，第二 NMOS 管包括第二中压 P 阱，第二中压 P 阱上从左至右依次布置有第二 P 阱引出区和第三 N 阱，第一 P 阱引出区和第二 P 阱引出区之间通过第二金属连接线互连，第一 N 阱和第三 N 阱分别接出第一金属连接线、第四金属连接线作为连接端口。通过将两个 NMOS 管的 P 阱引出区相连，构成寄生三极管，实现双向泄放，还能够增加发射极和集电极之间的距离来增加保持电压，提高芯片面积利用率。
