本文源自:金融界
金融界2024年9月17日消息，天眼查知识产权信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器“，公开号CN202410798730.4，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供了一种背照式图像传感器的制备方法，包括如下步骤：提供一初始衬底；于初始衬底表面依次形成第一外延层及第二外延层，第一外延层及第二外延层的材料不同；于第二外延层表面形成像素阵列层；提供一支撑衬底；将支撑衬底与像素阵列层键合，得到一键合结构；以第二外延层为停止层，去除初始衬底及第一外延层。本发明利用在初始衬底上增加作为牺牲层的第一外延层、并在第一外延层上增加第二外延层作为后续形成的器件的新衬底的方法，在利用减薄工艺减薄背照式图像传感器的背部厚度时，令去除初始衬底及第一外延层后的背照式图像传感器的背面更加均匀平坦，提高背照式图像传感器的背部的均匀性，提高背照式图像传感器的良品率和器件性能。
