本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，辽宁天桥新材料科技股份有限公司申请一项名为“一种含碳钼合金表面层碳损失的二次修复方法“，公开号 CN202411139352.5，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明涉及一种含碳钼合金表面层碳损失的二次修复方法，属于含碳钼合金粉末冶金领域。含碳钼合金表面层碳损失的二次修复方法包括以下步骤：S1：将待处理的含碳钼合金坯进行预处理；S2：将经过预处理的含碳钼合金坯放入加热设备，按照预设的最优工艺参数进行渗碳烧结处理；S3：将处理后的含碳钼合金坯从加热设备中取出，以预设的速度进行冷却；S4：将二次退火处理后的金属材料进行打磨处理；本发明基于多轮实验数据，结合遗传算法、粒子群算法和模拟退火算法，通过构建含碳钼合金渗碳烧结工艺参数优化模型一、二、三，对含碳钼合金渗碳烧结过程中的关键工艺参数进行三轮迭代优化得到最优工艺参数，进一步提高强化含碳钼合金的表面性能。
