本文源自:金融界
金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法、半导体器件“，公开号 CN202411110508.7，申请日期为 2024 年 8 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制作方法、半导体器件，属于半导体技术领域，所述半导体结构包括：衬底；浅沟槽隔离结构，设置在所述衬底中；深阱区，设置在所述衬底中，所述深阱区包括第一子深阱和第二子深阱，所述第一子深阱和所述第二子深阱设置在所述浅沟槽隔离结构两侧；第一阱区，设置在所述第一子深阱中，所述第一阱区的深度小于所述深阱区的深度，且所述第一阱区延伸至所述浅沟槽隔离结构底部；以及第二阱区，设置在所述第二子深阱中，所述第二阱区的深度小于所述深阱区的深度，且所述第二阱区延伸至所述浅沟槽隔离结构底部。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法、半导体器件，可提高半导体结构的电性性能。
