朗德电子申请一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法专利,简化制造工艺流程

朗德电子申请一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法专利,简化制造工艺流程
2024年09月20日 11:05 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 9 月 20 日消息,天眼查知识产权信息显示,浙江朗德电子科技有限公司申请一项名为“一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法“,公开号 CN202411118324.5,申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示,本申请涉及 MEMS 集成微制造的技术领域,尤其是涉及一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法,包括以下步骤:获取待处理衬底,并在待处理面获取底层凹槽阵列以及底层导电铜膜,以形成底层线圈;在底层线圈的两端留出导电通孔;采用 3D 打印以获取磁芯放置凹槽,并继续保留导电通孔;采用电化学沉积增材 3D 打印纯铜填满导电通孔以形成铜连接导体;采用 3D 打印形成顶层线圈的顶层凹槽阵列图形和顶层电极凹槽图形;采用电化学沉积增材 3D 打印纯铜以获取顶层铜膜,顶层铜膜填满顶层凹槽阵列,同时填满顶层电极凹槽形成铜电极,形成完整的无掩膜磁通门传感器芯片。本申请简化了制造工艺流程,缩短了制造周期,降低了芯片成本。

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