本文源自:金融界
金融界9月20日消息，有投资者在互动平台向天岳先进提问：根据报道，英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术】欧洲芯片制造商英飞凌表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求。请问贵司是否有相关技术储备。
公司回答表示：目前公司专注于SiC碳化硅衬底领域，在碳化硅衬底制备技术、产品、市场和品牌等方面已具有领先优势。目前碳化硅是第三代半导体领域，产业化进展最快的材料。这一方面是由于碳化硅半导体材料本身优异的物理性能，在高效电力转换等方面的突出优势，应用领域广阔；另一方面碳化硅在电动汽车等领域的大规模产业化应用的成功，推动碳化硅技术的拓展，国内外主要国家竞相布局这一关键领域。公司致力于提高衬底产品的质量，通过持续技术创新，与客户共同推进碳化硅半导体材料和技术的渗透应用。随着碳化硅技术在电动汽车、能源基础设施等更多的高效电能转换应用领域的需求提升，碳化硅半导体产业规模持续扩大。从公司客户端反馈来看，目前公司在高品质衬底处于国际第一梯队，引领行业发展，在大尺寸产品产业化、前瞻技术布局、高品质产品研发等方面依托于完全自主研发创新。目前全球前十大功率半导体企业超过一半已成为公司客户，公司在产品稳定性、一致性上获得国际一线客户认可。公司高度重视宽禁带半导体行业前瞻性材料与技术，公司始终聚焦碳化硅半导体材料与技术领域。未来，天岳先进将以“先进品质持续”的经营理念，以宽禁带半导体技术和市场发展为导向，立足国际能源变革和数字化低碳化发展大趋势，巩固和提升公司在行业中的领先地位，致力于成为国际著名的半导体材料公司。
