上海新硅聚合申请一种压电异质衬底结构及制备方法专利，提升压电异质衬底结构的器件性能_

本文源自:金融界

金融界2024年9月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种压电异质衬底结构及制备方法”的专利，公开号 CN 118695766 A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请公开了一种压电异质衬底结构及制备方法，包括衬底层、介质层和压电薄膜层，所述介质层位于所述衬底层和所述压电薄膜层之间；所述压电薄膜层和所述介质层间的界面具有以第一面密度分布的多种预设微粒，所述介质层和所述衬底层间的界面具有以第二面密度分布的多种预设微粒，所述第一面密度大于等于所述第二面密度。本申请中第一面密度分布的多种预设微粒，能够对入射的体声波和光波进行散射，第二面密度分布的多种预设微粒能够进一步补充散射，并放大上层界面的多种预设微粒的散射效果，协同增强该压电异质衬底结构整体对体声波和光波的散射效果，避免引入干扰信号，也有利于提高分辨率，大大提升该压电异质衬底结构的器件性能。