成都思科瑞申请一种芯片离心加速试验设备及其试验方法专利,提高对芯片离心加速试验的效率

成都思科瑞申请一种芯片离心加速试验设备及其试验方法专利,提高对芯片离心加速试验的效率
2024年10月09日 11:11 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月9日消息,国家知识产权局信息显示,成都思科瑞微电子股份有限公司申请一项名为“一种芯片离心加速试验设备及其试验方法”的专利,公开号 CN 118746546 A,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本发明涉及芯片测试设备技术领域,具体的公开了一种芯片离心加速试验设备及其试验方法,包括底盘,所述底盘上安装有筒体,筒体内转动安装有安装盘,安装盘顶部设置有自动导引车,自动导引车顶部安装有芯片测试端子排和第一真空泵。本发明中自动导引车在安装盘顶部运动即可对自动导引车处于安装盘顶部的位置进行调整,进而对自动导引车顶部的芯片测试端子排以及芯片测试端子排上安装的芯片的位置进行调整,进而可以对芯片的离心半径进行调整,其利用自动导引车带动芯片运动对芯片处于安装盘上的位置进行调整,其可以便捷对芯片的离心半径进行调整,进而提高对芯片离心加速试验的效率。

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