寰宇晶科申请硬质颗粒填充的CMP修整器及其制备方法专利,可带来优质修整效果

寰宇晶科申请硬质颗粒填充的CMP修整器及其制备方法专利,可带来优质修整效果
2024年10月16日 14:10 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月16日消息,国家知识产权局信息显示,北京寰宇晶科科技有限公司申请一项名为“一种硬质颗粒填充的CMP修整器及其制备方法”的专利,公开号CN 118769133 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种硬质颗粒填充的CMP修整器及其制备方法,修整器包括基板,基板上具有微孔,修整器还包括突出基板表面的硬质颗粒及覆盖于基板和硬质颗粒上的化学气相沉积金刚石涂层,硬质颗粒与微孔的孔壁相接触,微孔的分布密度为0.25‑25个/mm2,硬质颗粒莫氏硬度大于或等于6,金刚石涂层厚度3‑30μm,石墨含量0.5‑5%,氮元素量0.5‑8ppm。制备方法是首先制作具有微孔的基板,然后将硬质颗粒置入基板表面的微孔中,最后在基板表面和硬质颗粒表面上沉积金刚石涂层。

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