本文源自:金融界
金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，中环新能（安徽）先进电池制造有限公司取得一项名为“一种选择性掺杂结构、TOPcon电池”的专利，授权公告号 CN 221841849 U，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种选择性掺杂结构，所述选择性掺杂结构包括：硅片，所述硅片的一面的区域划分为接触区和非接触区；设置在所述硅片的一面的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层表面的磷掺杂多晶硅层，所述接触区的多晶硅的磷掺杂浓度高于所述非接触区；设置在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面的磷掺杂纳米硅粉层；设置在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面的金属电极；钝化层，所述钝化层设置在所述非接触区内的掺杂多晶硅层表面，以及所述磷掺杂纳米硅粉层表面未被金属电极占据的区域。本申请通过在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面设置磷掺杂纳米硅粉层，可以起到隔离磷掺杂多晶硅层与金属电极的作用，防止掺杂多晶硅层也容易被金属电极穿透。
