厦门乾照光电申请微型发光二极管外延片及其制作方法专利,可提高复合透明导电膜的 ESD 能力

厦门乾照光电申请微型发光二极管外延片及其制作方法专利,可提高复合透明导电膜的 ESD 能力
2024年10月18日 15:00 金融界网站

本文源自:金融界

金融界 2024 年 10 月 18 日消息,国家知识产权局信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种微型发光二极管外延片及其制作方法”的专利,公开号 CN 118782710 A,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,本发明提供了一种微型发光二 极管外延片及其制作方法,本申请提供的微型发光二极管外延片的制作方法,生长复合透明导电膜包括:在反应腔室内,采用射频结合直流的溅射方式在第二型半导体层的表面依次制备低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层,可提高复合透明导电膜的致密性及复合透明导电膜与第二型半导体层的欧姆接触,进而提高复合透明导电膜的 ESD 能力;结合低阻欧姆接触层、缓冲层、电流传导层以及功能层以实现制备低电阻率、高透过率和高稳定性的复合透明导电膜的目的。

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