东莞市志橙半导体申请实体碳化硅空心顶针制备方法专利，提升了顶针良品率_

本文源自:金融界

金融界2024年10月19日消息，国家知识产权局信息显示，东莞市志橙半导体材料有限公司申请一项名为“实体碳化硅空心顶针制备方法”的专利，公开号CN 118754670 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅空心顶针制备的技术领域，公开了一种实体碳化硅空心顶针制备方法，本发明通过根据待制备的实体碳化硅空心顶针的结构信息设计对应的石墨模具，通过化学气相沉积法依次在石墨模具上覆盖式制备热解碳涂层与碳化硅涂层，之后通过氧化刻蚀法去除石墨模具和热解碳涂层，得到独立存在的碳化硅涂层，独立存在的碳化硅涂层即为待制备的实体碳化硅空心顶针，石墨模具能够确保实体碳化硅空心顶针的内孔成型的问题，同时热解碳涂层能够避免石墨与碳化硅的渗透，保证了顶针内孔洁净度，提升了顶针良品率，解决了现有技术中制备实体碳化硅空心顶针洁净度不足的问题。