本文源自:金融界
金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体图形的形成方法”的专利，公开号CN 118762984 A，申请日期为2023年3月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体图形的形成方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底和光罩；在光罩对准第一位置的情况下，通过曝光显影在衬底上形成第一光阻层；第一光阻层包括沿预设方向周期排列的第一图形，其沿预设方向的尺寸为第一长度；形成覆盖第一光阻层的第一阻挡层；在光罩对准第二位置的情况下，通过曝光显影形成第二光阻层；第二位置是第一位置沿预设方向移动第二长度后的位置；第二光阻层部分地覆盖第一光阻层；对未被第二光阻层覆盖的第一光阻层进行刻蚀，使第一光阻层形成沿预设方向周期排列的第二图形，其沿预设方向的尺寸为第三长度，第三长度等于第一长度与第二长度之差；去除第二光阻层。本公开减小了半导体图形的特征尺寸。
