无锡邑文微电子申请进气装置及刻蚀设备专利,使注入刻蚀腔体内工艺气体电离产生的等离子体均匀作用于Wafer

无锡邑文微电子申请进气装置及刻蚀设备专利,使注入刻蚀腔体内工艺气体电离产生的等离子体均匀作用于Wafer
2024年10月22日 09:30 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种进气装置及刻蚀设备”的专利,公开号 CN 118762981 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明属于半导体技术领域,公开了一种进气装置及刻蚀设备,进气装置包括进气块、第一阀、第二阀、分气块和喷嘴,进气块包括总通道以及与总通道连通的第一分支通道和至少两个第二分支通道,第一阀与总通道对应设置,第二阀与第二分支通道一一对应设置;分气块包括至少两个第一分气通道和与第一分气通道一一对应连通的第二分气通道,所有的第一分气通道均与第一分支通道连通;第二分气通道与第二分支通道一一对应连通;喷嘴包括中心通道以及至少一个环形通道,中心通道与其中一个第二分气通道连通,环形通道与其余的第二分气通道一一对应连通本发明提供的进气装置可以使注入刻蚀腔体内的工艺气体电离产生的等离子体均匀作用于Wafer。

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