本文源自:金融界
金融界2024年10月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“形成凹槽的方法、场效应晶体管的制备方法及工艺设备”的专利，公开号 CN 118762995 A ，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种形成凹槽的方法、场效应晶体管的制备方法及工艺设备，其中，形成凹槽的方法包括：交替执行沉积步骤和第一刻蚀步骤，至少刻蚀部分第二侧墙以使相邻两个栅极结构之间的鳍状结构暴露；其中，沉积步骤用于在栅极结构的顶部沉积第一保护膜，并使第一保护膜覆盖第一侧墙的顶面，还用于在鳍状结构的顶部沉积第二保护膜，并使第二保护膜覆盖第二侧墙的顶面，第一保护膜的厚度大于第二保护膜的厚度，第一刻蚀步骤用于去除第二保护膜，并至少刻蚀部分第二侧墙及刻蚀部分第一保护膜；刻蚀相邻两个栅极结构之间的鳍状结构以形成目标凹槽。本方案可避免第一侧墙无法包裹栅极结构的栅极层导致后续源漏生长容易产生缺陷的问题。
