度亘核芯申请激光芯片镀膜方法和芯片专利,避免光学膜翻膜脱落污染腔面

度亘核芯申请激光芯片镀膜方法和芯片专利,避免光学膜翻膜脱落污染腔面
2024年10月22日 10:35 金融界网站

本文源自:金融界

金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,度亘核芯光电技术(苏州)有限公司申请一项名为“一种激光芯片的镀膜方法和激光芯片”的专利,公开号CN 118763497 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本发明提供了一种激光芯片的镀膜方法和激光芯片,镀膜方法包括:在激光芯片的腔面生长预覆盖膜;去除在激光芯片的腔面生长的预覆盖膜,保留在P面电极和N面电极上形成的预覆盖膜翻膜;对激光芯片镀光学膜,在激光芯片的腔面上形成光学膜。本发明提供的激光芯片上镀有膜层,所述膜层使用如上所述的激光芯片镀膜方法得到。本发明通过镀预覆盖膜的工艺,最终在P面电极和N面电极上,预覆盖膜和光学膜共两层膜均可稳定存在,避免了现有技术中光学膜翻膜从金属电极表面脱落污染腔面的问题,也可在后续激光芯片的封装过程中,阻挡焊料外溢,防止焊料污染腔面。

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