本文源自:金融界
金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都海光集成电路设计有限公司申请一项名为“去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号 CN 118798108 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请提供一种去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质，涉及芯片技术领域，方法包括：获取物理设计模块的空白区域，以及获取各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数；根据空白区域内不同位置的动态压降情况，将空白区域划分为多个子区域；根据各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数，从各去耦合电容标准单元中筛选出分别与各子区域匹配的多个去耦合电容标准单元集合；采用各子区域匹配的去耦合电容标准单元集合对各子区域进行去耦合电容标准单元插入操作。基于本申请的方案对物理设计模块进行去耦合电容标准单元的插入后，可以使得得到的物理设计模块的设计效果更好。
