本文源自:金融界
金融界2024年10月24日消息，国家知识产权局信息显示，陕西源杰半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种大功率抗反射半导体激光器”的专利，公开号CN 118801210 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开一种大功率抗反射半导体激光器，属于激光器设计技术领域，自下而上依次包括N面金属层、衬底层、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、下间隔层、下光栅层、上间隔层、上光栅层、填充层、盖层、接触层、钝化层和P面金属层；沿激光器腔长方向，激光器分为第一选模区和第二选模区；第一选模区和第二选模区分别在下光栅层和上光栅层均制作分布式反馈光栅结构。该激光器可提升激光器的抗反射光能力，降低反射光对激光器工作状态的影响。
